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PJQ4464AP_R2_00001

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJQ4464AP_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.65000 $0.65
500 $0.6435 $321.75
1000 $0.637 $637
1500 $0.6305 $945.75
2000 $0.624 $1248
2500 $0.6175 $1543.75
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7.3A (Ta), 33A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 17mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 13.5 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1574 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

UJ4SC075011B7S
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PSMN070-200B,118
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PJD45N03_L2_00001
SI2307CDS-T1-GE3
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IXFT32N100XHV
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R6015FNX
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