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PJQ4465AP_R2_00001

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PJQ4465AP_R2_00001

60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4465AP_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.68000 $0.68
500 $0.6732 $336.6
1000 $0.6664 $666.4
1500 $0.6596 $989.4
2000 $0.6528 $1305.6
2500 $0.646 $1615
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Ta), 16A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 48mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1256 pF @ 30 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 20W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN3333-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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SIR873DP-T1-GE3
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