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PJQ5410_R2_00001

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

非準拠

PJQ5410_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 15A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1323 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 62W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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