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PJQ5412_R2_00001

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ5412_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Ta), 45A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.1 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 660 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta), 40W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ DFN5060-8
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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関連部品番号

BSC160N10NS3GATMA1
DMT10H072LFDF-7
NTMJS1D15N03CGTWG
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$0 $/ピース
STB23NM50N
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$0 $/ピース
IRF9Z24PBF-BE3
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$0 $/ピース
STP30NF10
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$0 $/ピース
IRF9383MTRPBF
FDY302NZ
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$0 $/ピース
ZVP2110A
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$0 $/ピース
STI11NM80
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$0 $/ピース

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