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PJS6601_S2_00001

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20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

非準拠

PJS6601_S2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.56000 $0.56
500 $0.5544 $277.2
1000 $0.5488 $548.8
1500 $0.5432 $814.8
2000 $0.5376 $1075.2
2500 $0.532 $1330
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel Complementary
FET機能 Standard
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
rds オン (最大) @ id、vgs 56mOhm @ 4.1A, 4.5V, 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
パワー - 最大 1.25W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-23-6
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