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PJW1NA60B_R2_00001

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600V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJW1NA60B_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.50000 $0.5
500 $0.495 $247.5
1000 $0.49 $490
1500 $0.485 $727.5
2000 $0.48 $960
2500 $0.475 $1187.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 400mA (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 10Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.1 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 210 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

2SK2111-T1-AZ
NP45N06PUK-E1-AY
SQ3418AEEV-T1_GE3
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$0 $/ピース
BUK9Y1R3-40HX
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$0 $/ピース
SI3099-TP
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$0 $/ピース
NVMFS5831NLWFT1G
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$0 $/ピース
APTM20DAM08TG
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$0 $/ピース
MCTL300N10Y-TP
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SI3401-TP
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$0 $/ピース
AONR21305C

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