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PJW7N04_R2_00001

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PJW7N04_R2_00001

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJW7N04_R2_00001 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6.5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 42mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 4.8 nC @ 4.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 410 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.1W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

NTD14N03RT4G
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DMT6016LFDF-7
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BUZ32H3045A
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DMP31D7LW-7
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STL8P4LLF6
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SI7852ADP-T1-GE3
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ATP404-H-TL-H
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BUK7D25-40EX
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SCT3017ALHRC11
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