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P3M06120T3

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P3M06120T3

SICFET N-CH 650V 29A TO-220-3

compliant

P3M06120T3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $9.05000 $9.05
500 $8.9595 $4479.75
1000 $8.869 $8869
1500 $8.7785 $13167.75
2000 $8.688 $17376
2500 $8.5975 $21493.75
10 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 29A
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 15V
rds オン (最大) @ id、vgs 158mOhm @ 10A, 15V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 5mA (Typ)
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) +20V, -8V
入力容量(ciss)(最大)@vds -
FET機能 -
消費電力(最大) 153W
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-2L
パッケージ/ケース TO-220-2
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関連部品番号

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