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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Active |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side |
| チャンネルタイプ | Independent |
| ドライバーの数 | 2 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 14.5V ~ 15.5V |
| ロジック電圧 - vil、vih | - |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 35A, 35A |
| 入力タイプ | - |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 1700 V |
| 上昇/下降時間（標準） | 20ns, 20ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
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