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RM110N82T2

RM110N82T2

RM110N82T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 82V 110A TO220-3

非準拠

RM110N82T2 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 82 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 110A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6400 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 200W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

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