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RM18P100HDE

RM18P100HDE

RM18P100HDE

Rectron USA

MOSFET P-CH 100V 18A TO263-2

compliant

RM18P100HDE 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.34000 $0.34
500 $0.3366 $168.3
1000 $0.3332 $333.2
1500 $0.3298 $494.7
2000 $0.3264 $652.8
2500 $0.323 $807.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1300 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 70W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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IRFR110TRLPBF
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IMBF170R650M1XTMA1
MTP1N50E
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SPU02N60S5XK
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GA50JT12-247
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HUF75639P3
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$0 $/ピース
PJA3405-AU_R2_000A1

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