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RM2N650IP

RM2N650IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

RM2N650IP データシート

compliant

RM2N650IP 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 190 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 23W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
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関連部品番号

IPB04N03LAT
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IPI60R250CP
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FCD260N65S3
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NTTFS4840NTAG
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SIR186LDP-T1-RE3
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PJQ5445_R2_00001
SI4425BDY-T1-GE3
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RQ5C035BCTCL
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SIS476DN-T1-GE3
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DMN53D0U-7
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