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RM4N700S4

RM4N700S4

RM4N700S4

Rectron USA

MOSFET N-CH 700V 4A SOT223-2

RM4N700S4 データシート

非準拠

RM4N700S4 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.32000 $0.32
500 $0.3168 $158.4
1000 $0.3136 $313.6
1500 $0.3104 $465.6
2000 $0.3072 $614.4
2500 $0.304 $760
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 700 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 304 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5.2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-2
パッケージ/ケース TO-261-3
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関連部品番号

AOI2N60
FDU6612A
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NTD6415ANLT4G
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NTMFS4C35NT3G
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