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RM50N30DN

RM50N30DN

RM50N30DN

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN

RM50N30DN データシート

compliant

RM50N30DN 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.24000 $0.24
500 $0.2376 $118.8
1000 $0.2352 $235.2
1500 $0.2328 $349.2
2000 $0.2304 $460.8
2500 $0.228 $570
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 6.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1840 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.57W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (3x3)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
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関連部品番号

SIJ188DP-T1-GE3
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IRFP31N50LPBF
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STD6NF10T4
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CSD19534KCS
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IRF100B202
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STWA40N95DK5
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SI7454DDP-T1-GE3
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RV8L002SNHZGG2CR
H5N5016PL-E
STD11N50M2
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