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RM60N30DF

RM60N30DF

RM60N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 58A 8DFN

RM60N30DF データシート

compliant

RM60N30DF 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 58A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1844 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 46W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-DFN (5x6)
パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
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IXTH1N170DHV
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FQI4P40TU
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