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RM6N100S4

RM6N100S4

RM6N100S4

Rectron USA

MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3

RM6N100S4 データシート

compliant

RM6N100S4 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.14000 $0.14
500 $0.1386 $69.3
1000 $0.1372 $137.2
1500 $0.1358 $203.7
2000 $0.1344 $268.8
2500 $0.133 $332.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 140mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 690 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-3
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

IPD65R600E6ATMA1
DMN3150LW-7
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$0 $/ピース
BSZ160N10NS3GATMA1
UPA2731T1A-E1-AZ
HUF75339G3
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$0 $/ピース
AUIRF6215S
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$0 $/ピース
STP3NK60Z
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$0 $/ピース
DMN95H8D5HCTI
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$0 $/ピース
STL160N4F7
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$0 $/ピース

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