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RM6N100S4V

RM6N100S4V

RM6N100S4V

Rectron USA

MOSFET N-CH 100V 6A SOT223-3

compliant

RM6N100S4V 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.16000 $0.16
500 $0.1584 $79.2
1000 $0.1568 $156.8
1500 $0.1552 $232.8
2000 $0.1536 $307.2
2500 $0.152 $380
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 140mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 690 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-223-3
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
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関連部品番号

FQP9N15
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PMN34UP,115
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SIR846DP-T1-GE3
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STP3N62K3
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G3R40MT12K
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DMG2301L-7
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FDMS8023S
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