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RM6N800HD

RM6N800HD

RM6N800HD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO263-2

RM6N800HD データシート

compliant

RM6N800HD 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.79000 $0.79
500 $0.7821 $391.05
1000 $0.7742 $774.2
1500 $0.7663 $1149.45
2000 $0.7584 $1516.8
2500 $0.7505 $1876.25
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 900mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1320 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 98W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IQE013N04LM6CGATMA1
AON6572
STF5N60M2
STF5N60M2
$0 $/ピース
CSD18531Q5AT
CSD18531Q5AT
$0 $/ピース
BUK7E3R5-60E,127
BUK7E3R5-60E,127
$0 $/ピース
IPB180N03S4LH0ATMA1
RTQ045N03HZGTR
RTQ045N03HZGTR
$0 $/ピース
FCD9N60NTM
FCD9N60NTM
$0 $/ピース
IPW60R120C7XKSA1

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