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RM8N650HD

RM8N650HD

RM8N650HD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO263-2

RM8N650HD データシート

compliant

RM8N650HD 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 680 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 80W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-2
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

SCT2080KEC
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$0 $/ピース
IPA90R500C3XKSA2
SQJ414EP-T1_GE3
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STD1NK80ZT4
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MCH6351-TL-W
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AOD468
IRFP264PBF
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NDS9430A
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FDC3512
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