ichome.comへようこそ!

logo

RM8N650IP

RM8N650IP

RM8N650IP

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO251

RM8N650IP データシート

compliant

RM8N650IP 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 540mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 680 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 80W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

MCU30N02-TP
MCU30N02-TP
$0 $/ピース
5N20A
5N20A
$0 $/ピース
FQPF18N20V2
IRF350
IRF350
$0 $/ピース
ZXMN10A08E6TC
ZXMN10A08E6TC
$0 $/ピース
IPN70R750P7SATMA1
IPA65R400CEXKSA1
PJW4P06A-AU_R2_000A1
FQD6N25TM
FQD6N25TM
$0 $/ピース
IRFD123
IRFD123
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。