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RMD1N25ES9

RMD1N25ES9

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 25V 1.1A SOT363

compliant

RMD1N25ES9 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.06000 $0.06
500 $0.0594 $29.7
1000 $0.0588 $58.8
1500 $0.0582 $87.3
2000 $0.0576 $115.2
2500 $0.057 $142.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 25 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 4.5V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (最大) @ id 1.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 30 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 800mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ SOT-363
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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関連部品番号

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