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HIP6601BECB-T

HIP6601BECB-T

HIP6601BECB-T

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

compliant

HIP6601BECB-T 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
駆動構成 Half-Bridge
チャンネルタイプ Synchronous
ドライバーの数 2
ゲートタイプ N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 10.8V ~ 13.2V
ロジック電圧 - vil、vih -
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) -
入力タイプ Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 15 V
上昇/下降時間(標準) 20ns, 20ns
動作温度 0°C ~ 125°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOIC-EP
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