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NP80N04PDG-E1B-AY

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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

非準拠

NP80N04PDG-E1B-AY 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.84000 $1.84
500 $1.8216 $910.8
1000 $1.8032 $1803.2
1500 $1.7848 $2677.2
2000 $1.7664 $3532.8
2500 $1.748 $4370
1000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 4.5mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 6900 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta), 115W (Tc)
動作温度 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-3
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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