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NP80N055PDG-E1B-AY

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263

非準拠

NP80N055PDG-E1B-AY 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.73000 $1.73
500 $1.7127 $856.35
1000 $1.6954 $1695.4
1500 $1.6781 $2517.15
2000 $1.6608 $3321.6
2500 $1.6435 $4108.75
5000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 80A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 6.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 6900 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1.8W (Ta), 115W (Tc)
動作温度 175°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

IPS105N03LGAKMA1
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IRFIZ48GPBF
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C2M0045170D
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HUF76009P3
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FQPF7P20
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PSMN1R2-55SLH
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CPH3431-TL-E
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