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RJK03E0DNS-00#J5

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK03E0DNS-00#J5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.87000 $0.87
500 $0.8613 $430.65
1000 $0.8526 $852.6
1500 $0.8439 $1265.85
2000 $0.8352 $1670.4
2500 $0.8265 $2066.25
140000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15.2 nC @ 4.5 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 3050 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 20W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HWSON (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
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