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RJK03E1DNS-00#J5

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK03E1DNS-00#J5 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.01000 $1.01
500 $0.9999 $499.95
1000 $0.9898 $989.8
1500 $0.9797 $1469.55
2000 $0.9696 $1939.2
2500 $0.9595 $2398.75
80000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs 6.9mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.7 nC @ 4.5 V
vgs (最大) -
入力容量(ciss)(最大)@vds 2300 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 15W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HWSON (3.3x3.3)
パッケージ/ケース 8-PowerWDFN
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関連部品番号

RS1L151ATTB1
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G20N03D2
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RS1E350BNTB1
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DMT10H9M9SCT
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R6030KNXC7G
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IXTY1N80P-TRL
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NVTFS024N06CTAG
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