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RJK6018DPK-00#T0

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MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

compliant

RJK6018DPK-00#T0 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 30A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 235mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4100 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 200W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-3P
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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