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RJK6025DPD-00#J2

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MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

非準拠

RJK6025DPD-00#J2 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 17.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 37.5 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 29.7W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ MP-3A
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

HUFA76429S3ST
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IRL3102
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STS17NH3LL
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IXFH36N55Q2
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STI18NM60N
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STB190NF04T4
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BSP135 E6906
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FDD3N40TF
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