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RJK6026DPE-00#J3

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MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK

非準拠

RJK6026DPE-00#J3 価格と注文

単価 外貨価格
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 440 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ LDPAK
パッケージ/ケース SC-83
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