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BS2101F-E2

BS2101F-E2

BS2101F-E2

Rohm Semiconductor

IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP

compliant

BS2101F-E2 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.33060 -
5,000 $0.31920 -
145 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Not For New Designs
駆動構成 High-Side or Low-Side
チャンネルタイプ Synchronous
ドライバーの数 2
ゲートタイプ IGBT, N-Channel MOSFET
電圧 - 供給 10V ~ 18V
ロジック電圧 - vil、vih 1V, 2.6V
電流 - ピーク出力(ソース、シンク) 60mA, 130mA
入力タイプ Non-Inverting
ハイサイド電圧 - 最大(ブートストラップ) 600 V
上昇/下降時間(標準) 60ns, 20ns
動作温度 -40°C ~ 125°C (TA)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
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