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BSM300C12P3E201

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Rohm Semiconductor

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE

非準拠

BSM300C12P3E201 価格と注文

単価 外貨価格
1 $750.60000 $750.6
500 $743.094 $371547
1000 $735.588 $735588
1500 $728.082 $1092123
2000 $720.576 $1441152
2500 $713.07 $1782675
4 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 300A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) -
rds オン (最大) @ id、vgs -
vgs(th) (最大) @ id 5.6V @ 80mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs -
vgs (最大) +22V, -4V
入力容量(ciss)(最大)@vds 15000 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 1360W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Module
パッケージ/ケース Module
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関連部品番号

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