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EM6M1T2R

EM6M1T2R

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

EM6M1T2R データシート

非準拠

EM6M1T2R 価格と注文

単価 外貨価格
8,000 $0.14500 -
16,000 $0.14000 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V, 20V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100mA, 200mA
rds オン (最大) @ id、vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (最大) @ id -
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 0.9nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 13pF @ 5V
パワー - 最大 150mW
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ EMT6
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関連部品番号

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