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| 名前 | 価値 |
|---|---|
| 製品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | P-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース電圧 (vdss) | 12 V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c | 1.3A (Ta) |
| 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン） | 1.5V, 4.5V |
| rds オン (最大) @ id、vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ id | 1V @ 1mA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| vgs (最大) | ±10V |
| 入力容量（ciss）（最大）@vds | 290 pF @ 6 V |
| FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取り付けタイプ | Surface Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-WEMT |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads |
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