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HP8S36TB

HP8S36TB

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Rohm Semiconductor

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

HP8S36TB データシート

compliant

HP8S36TB 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.58800 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 27A, 80A
rds オン (最大) @ id、vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 47nC @ 4.5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6100pF @ 15V
パワー - 最大 29W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ 8-HSOP
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関連部品番号

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SI4388DY-T1-GE3
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