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QS8K11TCR

QS8K11TCR

QS8K11TCR

Rohm Semiconductor

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

QS8K11TCR データシート

compliant

QS8K11TCR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.29435 -
6,000 $0.28420 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 -
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.5A
rds オン (最大) @ id、vgs 50mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 3.3nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 180pF @ 10V
パワー - 最大 1.5W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ TSMT8
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関連部品番号

AON3820
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NTGD4167CT1G
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