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QS8M13TCR

QS8M13TCR

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Rohm Semiconductor

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

QS8M13TCR データシート

compliant

QS8M13TCR 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.42000 -
1555 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N and P-Channel
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 6A, 5A
rds オン (最大) @ id、vgs 28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 5.5nC @ 5V
入力容量(ciss)(最大)@vds 390pF @ 10V
パワー - 最大 1.5W
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ TSMT8
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関連部品番号

MCH6626-TL-E
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FDI9406
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DMN66D0LDWQ-13
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IRF7324TRPBF
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CSD86311W1723
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PMCM650CUNEZ
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HUFA76407DK8T-F085
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SI4900DY-T1-E3
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