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R6002ENHTB1

R6002ENHTB1

R6002ENHTB1

Rohm Semiconductor

600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER

compliant

R6002ENHTB1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.25000 $1.25
500 $1.2375 $618.75
1000 $1.225 $1225
1500 $1.2125 $1818.75
2000 $1.2 $2400
2500 $1.1875 $2968.75
2350 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 6.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 65 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 2W (Ta)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 8-SOP
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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関連部品番号

DMN67D8LT-13
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$0 $/ピース
NTMFS4931NT1G-IRH1
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NTMT125N65S3H
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IPB320P10LMATMA1
FCP165N65S3R0
IXFT50N60P3-TRL
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SQ3493EV-T1_GE3
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$0 $/ピース
NTLJS053N12MCLTAG
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$0 $/ピース
DMTH8008SFGQ-13

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