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R6009ENXC7G

R6009ENXC7G

R6009ENXC7G

Rohm Semiconductor

600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

compliant

R6009ENXC7G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.92000 $2.92
500 $2.8908 $1445.4
1000 $2.8616 $2861.6
1500 $2.8324 $4248.6
2000 $2.8032 $5606.4
2500 $2.774 $6935
1000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 430 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 48W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

2SJ176-E
IGOT60R070D1AUMA3
BUK7509-55A,127
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$0 $/ピース
R6004ENXC7G
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$0 $/ピース
PMPB09R5TPX
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$0 $/ピース
AON6266E
AOTL66610
IPB80P04P407ATMA2
RJL5013DPP-E0#T2
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$0 $/ピース
GT095N10D5
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$0 $/ピース

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