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R6009JNJGTL

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

SOT-23

非準拠

R6009JNJGTL 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.05000 $3.05
500 $3.0195 $1509.75
1000 $2.989 $2989
1500 $2.9585 $4437.75
2000 $2.928 $5856
2500 $2.8975 $7243.75
1040 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 15V
rds オン (最大) @ id、vgs 585mOhm @ 4.5A, 15V
vgs(th) (最大) @ id 7V @ 1.38mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22 nC @ 15 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 645 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ LPTS
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

NVMFS6H836NLWFT1G
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APT60M80L2VRG
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IXTT110N10L2
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RM150N100T2
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IRF3710PBF
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FDU8586
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