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R6504END3TL1

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R6504END3TL1

Rohm Semiconductor

650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER

compliant

R6504END3TL1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.80000 $1.8
500 $1.782 $891
1000 $1.764 $1764
1500 $1.746 $2619
2000 $1.728 $3456
2500 $1.71 $4275
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.05Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 130µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 220 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 58W (Tc)
動作温度 150°C
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

IPB042N10N3GE8187ATMA1
TK39N60X,S1F
AOU3N60
STP3NK60ZFP
STP3NK60ZFP
$0 $/ピース
FDS86267P
FDS86267P
$0 $/ピース
NVJS4151PT1G
NVJS4151PT1G
$0 $/ピース
PJQ5445-AU_R2_000A1
G20P10KE
G20P10KE
$0 $/ピース
SIHG16N50C-E3
SIHG16N50C-E3
$0 $/ピース
FDB0260N1007L
FDB0260N1007L
$0 $/ピース

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