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R6507ENXC7G

R6507ENXC7G

R6507ENXC7G

Rohm Semiconductor

650V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

compliant

R6507ENXC7G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.08000 $3.08
500 $3.0492 $1524.6
1000 $3.0184 $3018.4
1500 $2.9876 $4481.4
2000 $2.9568 $5913.6
2500 $2.926 $7315
1000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 665mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 390 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 46W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

IXTP230N04T4M
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SI4490DY-T1-E3
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