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R6507KND3TL1

R6507KND3TL1

R6507KND3TL1

Rohm Semiconductor

HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 7

非準拠

R6507KND3TL1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.80000 $1.8
500 $1.782 $891
1000 $1.764 $1764
1500 $1.746 $2619
2000 $1.728 $3456
2500 $1.71 $4275
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 665mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 200µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 470 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FCP260N60E
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$0 $/ピース
SIHG44N65EF-GE3
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$0 $/ピース
IXTH3N120
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$0 $/ピース
PJA3409-AU_R1_000A1
SI7884BDP-T1-GE3
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SSM3J331R,LF
SI2101A-TP
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$0 $/ピース
UPA2710GR-E2-A
TSM085P03CV RGG
AOTF12N30

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