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R6509END3TL1

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Rohm Semiconductor

650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER

compliant

R6509END3TL1 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.36000 $2.36
500 $2.3364 $1168.2
1000 $2.3128 $2312.8
1500 $2.2892 $3433.8
2000 $2.2656 $4531.2
2500 $2.242 $5605
2470 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 230µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 430 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 94W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

SI2377EDS-T1-GE3
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$0 $/ピース
SPA07N65C3XKSA1
PJA138K_R1_00001
PMXB65UPEZ
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$0 $/ピース
STW33N60M2
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$0 $/ピース
STU7N105K5
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$0 $/ピース
IRF710PBF-BE3
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2SK1165-E
FDU6296
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RRR040P03HZGTL
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