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R6509ENXC7G

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R6509ENXC7G

Rohm Semiconductor

650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE

非準拠

R6509ENXC7G 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.92000 $2.92
500 $2.8908 $1445.4
1000 $2.8616 $2861.6
1500 $2.8324 $4248.6
2000 $2.8032 $5606.4
2500 $2.774 $6935
1000 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Ta)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 230µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 430 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 48W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

2SK2370(2)-A
DMTH4014LFVW-7
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TSM60NC1R5CH C5G
DMN4010LFG-7
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DMN10H220LQ-13
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FDS8449-G
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UF4C120070K3S
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RJK0233DPA-00#J5A

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