ichome.comへようこそ!

logo

R6520ENZ4C13

R6520ENZ4C13

R6520ENZ4C13

Rohm Semiconductor

650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER

非準拠

R6520ENZ4C13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.07000 $6.07
500 $6.0093 $3004.65
1000 $5.9486 $5948.6
1500 $5.8879 $8831.85
2000 $5.8272 $11654.4
2500 $5.7665 $14416.25
586 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 205mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 630µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1400 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 231W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247G
パッケージ/ケース TO-247-3
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

STH240N75F3-2
STH240N75F3-2
$0 $/ピース
TN0104N8-G
TN0104N8-G
$0 $/ピース
FS70SM-2#201
SPD18P06PGBTMA1
IPA60R520C6XKSA1
FDB8444TS
FDB8444TS
$0 $/ピース
FDMS86182
FDMS86182
$0 $/ピース
IXTP52P10P
IXTP52P10P
$0 $/ピース
RQ3E080BNTB
RQ3E080BNTB
$0 $/ピース
XP261N7002TR-G

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。