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R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13

R6535ENZ4C13

Rohm Semiconductor

650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER

非準拠

R6535ENZ4C13 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.86000 $7.86
500 $7.7814 $3890.7
1000 $7.7028 $7702.8
1500 $7.6242 $11436.3
2000 $7.5456 $15091.2
2500 $7.467 $18667.5
571 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 35A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 115mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 1.21mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2600 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 379W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247G
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

SI8425DB-T1-E1
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