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R8001CND3FRATL

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 1A TO252

非準拠

R8001CND3FRATL 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.56000 $2.56
500 $2.5344 $1267.2
1000 $2.5088 $2508.8
1500 $2.4832 $3724.8
2000 $2.4576 $4915.2
2500 $2.432 $6080
480 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.7Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.2 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 60 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 36W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

NTTFS4932NTAG
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SI7117DN-T1-E3
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SQD50P08-28_GE3
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NTE2931
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NX5008NBKHH
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NTR4501NST1G
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RQ5L030SNTL
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DN3545N3-G
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SQJ182EP-T1_GE3
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