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R8002ANX

R8002ANX

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM

R8002ANX データシート

compliant

R8002ANX 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.71000 $2.71
10 $2.43800 $24.38
100 $1.95960 $195.96
500 $1.61000 $805
1,000 $1.33400 -
2,500 $1.28800 -
485 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12.7 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 210 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 35W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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関連部品番号

NVMFS5C646NLWFAFT3G
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AUIRF7647S2TR
STP95N4F3
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PSMN4R1-60YLX
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