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R8010ANX

R8010ANX

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM

R8010ANX データシート

非準拠

R8010ANX 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.02000 $3.02
10 $2.71300 $27.13
100 $2.22300 $222.3
500 $1.89240 $946.2
1,000 $1.59600 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 560mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1750 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 40W (Tc)
動作温度 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220FM
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
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