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RD3S100CNTL1

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Rohm Semiconductor

MOSFET N-CH 190V 10A TO252

compliant

RD3S100CNTL1 価格と注文

単価 外貨価格
2,500 $0.88200 -
2024 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 190 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 182mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2000 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 85W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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